定间隙间歇送进-混气电解加工技术

介绍了定间隙间歇送进-混气电解加工技术及其提高复制精度的途径,通过试验研究了该技术在提高电解加工精度及表面质量方面的优越性。     

基于BICMOS电流控制型多路输出电源的研制

介绍一种适用于低压、宽范围供电的多路输出DC/DC变换器,在功率电路中使用无损耗箝位电路实现了变压器磁芯的复位,控制电路使用第三代BICOMS电流控制型PWM,简化了电路设计、降低了噪声敏感度,给出了多路输出电源中变压器和耦合电感的工程设计的详细过程,同时分析了多路输出耦合电感对负载交叉调节性能的影响.研制的变换器输入电压范围8V-40VDC,输出5V/3A、±15V/0.5A、 10V/0.5A.     

1994年2月21日行星际激波引起的磁暴

利用Imp-8,Geotail和Goes-6等卫星资料,研究了1994年2月21日0900UT到达地球磁层的行星际激波引起的磁暴期间,从太阳风向磁层传输能量的有关问题.结果指出:（1）南向行星际磁场（IMF）的长持续时间不是太阳风向磁层输能的必要条件.南北振荡的,较强IMF也能产生显著的能量传输;（2）行星际扰动磁场通过弓激波和磁层顶后扰动磁能增加,增幅将近5倍;（3）在磁层内扰动磁场的Bz分量在1×10-4Hz附近显著被吸收.这一低频扰动磁场可能是磁暴期间导致氧离子和质子等环电流粒子向内扩散并被加速的原因之一.     

异型孔空心叶片壁厚检测的试验研究

发动机叶片的结构型式和制造误差，直接影响发动机的性能和使用寿命。运用超声波法和电涡流法，对两种不同材料和形式的试件进行了试验。电涡流法受到探头直径和试件几何尺寸的影响，测量误差大，超声波法由于存在测量盲区，测量厚度的下限受到限制。但测量值与实际值相关，若对探头加以改进，用于异型孔空心叶片壁厚检测是可行的。     

无电阻CMOS带隙基准电压源的设计

设计了一种高准确度无电阻的带隙基准电压源。该电路采用差分结构的电压传输单元来代替电阻,并且没有使用运算放大器,从而避免了运算放大器所带来的高失调和必须补偿的缺陷。电流源采用共源共栅结构,提高了电源抑制比。增加了启动电路,保证电路可以正常工作。在0.6μm CMOS工艺条件下,电路的各项性能指标采用Sm artSp ice进行模拟验证,结果表明有效温度系数可以达到6×10-6/℃,电源电压从3.8 V变化到5.5 V时,输出的基准电压波动不到3 mV。     

三相谐振直流环节逆变器的控制策略

本文针对三相谐振直流环节逆变器提出了三种电流调节方案,并对这三种调节方案进行了分析比较。电流调节△调制方案是零滞环的,它使得三相电流总是流向正确的方向,具有良好的动态特性,但谐波特性较差;相邻模态电流调制方案使逆变器在相邻的开关模态或零开关模态之间进行切换,谐波特性很好,动态特性不够好,而滞环控制电流调制器根据逆变器的实际情况选择开关模态(包括零模态),具有良好的动态特性和谐波特性,适用于三相谐振直流环节逆变器。文中给出了三种方案下的仿真波形,仿真结果的比较也于文后给出。     

组合式三相双Buck宽变频逆变器

介绍了两态滞环电流控制型双Buck逆变器的电路结构和工作原理,对系统内环进行建模和分析。从理论上分析得到电流内环可以把LC二阶系统降阶为一阶系统,并将电流内环近似等效为一阶惯性环节,其时间常数主要取决于系统滤波电感的大小,并提出了一种滞环电流控制型逆变器输出滤波器的解耦设计方法,对宽变频输出时的输出滤波器进行优化设计。在此基础上进行三相组合式实验研究,通过数字控制技术实现逆变器系统具有360~800 H z宽变频输出。最后通过三相6 kVA原理样机,验证了本逆变器系统在全频率范围得到良好的输出电压波形和较高的效率,具有更广的应用前景。     

瞬时值电流控制逆变技术比较

电流瞬时值控制逆变器有多种实现方案．本文从系统稳定性、外特性以及负载适应能力等方面对电感电流反馈滞环电流控制，固定开关频率电感电流反馈控制和电容电流反馈控制进行了对比分析，以综合评估各种控制方案的性能，为方案选择提供依据。理论分析和实验结果表明，在系统稳定条件略为苛刻的情况下，采用固定开关频率的电容电流反馈控制的逆变器具有很好的输出电压波形、很硬的外特性以及良好的非线性负载适应性．是一种较好的电流瞬时值控制技术。     

涡流传感器提离效应的研究

通过数值计算表明涡流检测传感器相对于被测导体的提离效应在阻抗平面图上是近似为直线的轨迹。并通过单片机实现阻抗的幅值和相位的测量 ,利用阻抗变换的方法 ,有效地实现了提离干扰信号的抑制     

有限接地板对圆形微带天线辐射特性的影响

本文探讨有限接地板及其边缘劈形状对圆形微带天线辐射特性的影响。文中用接地板边缘绕射场与微带天线直接辐射场相对相位合成的方法改善圆形微带天线前向辐射特性的计算精度和计算其后向辐射方向图。微带天线直接辐射场用磁壁围成的腔体模型进行计算;边缘绕射场的计算,在E面采用一致几何绕射理论(UTD),在H面,由于边缘一阶绕射场为0,本文引入斜率绕射计算前向辐射方向图,用等效流法计算E在整个接地板边缘产生的绕射对H面后向辐射方向图的贡献。算例表明,本文的计算结果与可资比较的实测曲线吻合一致,而文[1]E面前向辐射方向图的计算结果与实测曲线比较,最大误差高达5dB,证明本文方法提高了计算精度。本文给出了具有不同尺寸、形状和不同边缘劈角的接地板的圆形微带天线的辐射特性,得出了利用改变有限接地板的几何特性参数来控制微带天线辐射方向图的途径。